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IGBT模塊
產品狀態
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封裝
C1
C2
P2
P3
E1
E1A
E2A
E2
E3
GJ
集電極-發射極電壓VCES min.(V)
650
1200
集電極電流IC @ TC=80℃(A)
10
15
20
25
30
35
40
50
75
100
150
200
225
300
400
450
600
飽和壓降VCE(sat)typ.(V)
1.45
1.55
1.6
1.65
1.8
1.85
1.9
2.3
2.4
3
3.1
開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
0.52
0.68
1.12
1.24
1.52
1.53
1.63
1.81
1.82
2.38
2.57
2.58
2.85
3.15
3.6
3.71
4.28
4.5
4.55
4.56
5.61
5.7
6.2
6.25
6.27
6.65
6.8
7.41
8.2
8.55
9.3
9.41
10.21
10.45
10.93
11.88
12.02
12.07
12.35
12.86
13.4
14.22
14.62
15.3
15.96
16.01
17.48
17.7
18.05
18.1
18.21
19.23
24.5
28.5
30
31.3
33.6
34
34.2
36.35
43
45.2
46.4
48.45
53
54
57
57.7
61.2
62
77.9
91
121
最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
0.02
0.03
0.04
0.047
0.05
0.06
0.065
0.07
0.075
0.08
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.15
0.16
0.17
0.18
0.19
0.2
0.21
0.22
0.24
0.25
0.27
0.3
0.31
0.32
0.33
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.44
0.47
0.59
0.62
0.66
0.67
0.68
0.87
0.95
1.05
1.14
1.24
1.43
重置
型號
規格書
集電極-發射極電壓VCES min.(V)
集電極電流 IC @ TC=80℃(A)
飽和壓降 VCE(sat)typ.(V)
開關能量損耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃（mJ）
最大結-殼熱阻 Rth(j-c)max.(℃/W)
封裝
產品狀態
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